<a href="http://agenziacalendario.com/wp/wp-content/uploads/2011/07/William_Shockley_Stanford_University.jpg"><img class="alignleft size-thumbnail wp-image-1444" title="12/2/1965William B. Shockley, Nobel Laureate in physics" src="http://agenziacalendario.com/wp/wp-content/uploads/2011/07/William_Shockley_Stanford_University-150x150.jpg" alt="" width="150" height="150" /></a>Il 5 luglio 1951 in una conferenza stampa il fisico William Bradford Shockley Jr. annuncia l'invenzione del transistor a giunzione, di cui otterrà il bervetto il 25 settembre 1951. Per questa invenzione Shockley, con John Bardeen e Walter Brattain, ottiene il Nobel per la fisica nel 1956. Il transistor diventerà l'elemento base di tutti gli apparecchi elettronici. William Bradford Shockley Jr. nasce il 13 febbraio 1910 a Londra (Inghilterra) si laurea in Scienze al California Instituto of Technology nel 1932 e nel 1936 si specializza al Mit di Boston (Massachusetts, Usa). Durante la II Guerra mondiale si dedica a ricerche nel campo dei radar. Shockley muore il 12 agosto 1989 a Stanford (California, Usa).